onsemi J176_D74Z P-Channel JFET, Idss -2 → -25mA, 3-Pin TO-92
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
-2 → -25mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Altura
5.33mm
Ancho
4.19mm
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
JFET de canal P, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P.O.A.
2000
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P
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Single
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Altura
5.33mm
Ancho
4.19mm
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5.2mm
País de Origen
Japan
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JFET de canal P, Fairchild Semiconductor
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