MOSFET onsemi FCPF190N65S3R0L, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple

Name: MOSFET onsemi FCPF190N65S3R0L, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1784245

Código de producto RS: 178-4245Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FCPF190N65S3R0L

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

33 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.6mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

33 nC a 10 V

Altura

15.7mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

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P.O.A.

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Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

33 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.6mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

33 nC a 10 V

Altura

15.7mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China