MOSFET onsemi ECH8656-TL-H, VDSS 20 V, ID 7,5 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ECH
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
48 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,8 nC a 4,5 V
Profundidad
2.3mm
Material del transistor
Si
Altura
0.9mm
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P.O.A.
15
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N
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20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ECH
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
48 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,8 nC a 4,5 V
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