Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
600 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
160
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Typical Input Resistor
10 kΩ
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Typical Resistor Ratio
Ninguno
Dimensiones
1.25 x 0.85 x 0.55mm
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P.O.A.
200
P.O.A.
200
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
600 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
160
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Typical Input Resistor
10 kΩ
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Typical Resistor Ratio
Ninguno
Dimensiones
1.25 x 0.85 x 0.55mm