Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
NMP
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
420 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
6.9 x 2.5 x 4.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores PNP para uso general, más de 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
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ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
NMP
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
420 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
6.9 x 2.5 x 4.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores PNP para uso general, más de 1 A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.