Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
10 V
Tipo de Encapsulado
UMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
270 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
1.5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
8500 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
1 x 2.2 x 1.35mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores bipolares RF, NXP
Bipolar Transistors, NXP
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
10 V
Tipo de Encapsulado
UMT
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
270 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
1.5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
8500 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
1 x 2.2 x 1.35mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto