Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Amplificador
Ganancia
Ganancia de Potencia Típica
23 dB
Potencia de Salida Típica
13dBm
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
2,5 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Conteo de Pines
6
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
Altura
1mm
Longitud:
2.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.3 V
Profundidad
1.35mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
País de Origen
Hong Kong
Datos del producto
Amplificadores RF, NXP Semiconductors
Radio Frequency (RF) Amplifiers, NXP Semiconductors
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P.O.A.
5
P.O.A.
5
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Especificaciones
Brand
NXPTipo de Amplificador
Ganancia
Ganancia de Potencia Típica
23 dB
Potencia de Salida Típica
13dBm
Número de Canales por Chip
1
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
2,5 GHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Conteo de Pines
6
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1mm
Altura
1mm
Longitud:
2.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.3 V
Profundidad
1.35mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
País de Origen
Hong Kong
Datos del producto