Diodo de conmutación de banda, BA591,115, 100mA, 35V Conexión de silicio, UMD, 2-Pines 1V

Código de producto RS: 166-0449Marca: NXPNúmero de parte de fabricante: BA591,115
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

NXP

Configuración de diodo

Single

Corriente Máxima Directa

100mA

Número de Elementos por Chip

1

Tipo de montaje

Surface Mount

Tensión Inversa Máxima

35V

Tipo de Encapsulado

UMD

Tecnología de diodo

Silicon Junction

Conteo de Pines

2

Caída de tensión directa máxima

1V

Capacitancia Máxima del Diodo

0.9pF

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

1.8mm

Profundidad

1.35mm

Altura

1.05mm

Dimensiones del Cuerpo

1.8 x 1.35 x 1.05mm

Resistencia Serie Máxima @ IF Máximo

0.5 Ω @ 10 mA

Datos del producto

Diodos de conmutación de banda RF, NXP Semiconductors

Diodes and Rectifiers, NXP Semiconductors

NXP offers an extensive range of switching diodes, in different packages and configurations.

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P.O.A.

Diodo de conmutación de banda, BA591,115, 100mA, 35V Conexión de silicio, UMD, 2-Pines 1V

6000

Disponible en múltiplos de 6000
6000P.O.A.
12000P.O.A.
18000P.O.A.
24000P.O.A.
30000P.O.A.
36000P.O.A.
42000P.O.A.
48000P.O.A.
54000P.O.A.
60000P.O.A.
66000P.O.A.
72000P.O.A.
78000P.O.A.
84000P.O.A.
90000P.O.A.

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35V

Tipo de Encapsulado

UMD

Tecnología de diodo

Silicon Junction

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2

Caída de tensión directa máxima

1V

Capacitancia Máxima del Diodo

0.9pF

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

1.8mm

Profundidad

1.35mm

Altura

1.05mm

Dimensiones del Cuerpo

1.8 x 1.35 x 1.05mm

Resistencia Serie Máxima @ IF Máximo

0.5 Ω @ 10 mA

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