Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
370 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
150 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones
1 x 3.1 x 1.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores dobles NPN/PNP de tensión de saturación baja, Nexperia
Una gama de transistores dobles NPN/PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.
Bipolar Transistors, Nexperia
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$ 422
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 502,18
Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
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Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
10 - 40 | $ 422 | $ 4.220 |
50 - 90 | $ 345 | $ 3.450 |
100+ | $ 275 | $ 2.750 |
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Brand
NexperiaTipo de Transistor
NPN/PNP
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TSOP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
370 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
300
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
150 MHz
Conteo de Pines
6
Número de Elementos por Chip
2
Dimensiones
1 x 3.1 x 1.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores dobles NPN/PNP de tensión de saturación baja, Nexperia
Una gama de transistores dobles NPN/PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.