Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.48V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 324
Each (On a Reel of 50) (Sin IVA)
$ 385,56
Each (On a Reel of 50) (IVA Inc.)
Estándar
50
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Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
---|---|---|
50 - 550 | $ 324 | $ 16.200 |
600 - 1450 | $ 89 | $ 4.450 |
1500+ | $ 73 | $ 3.650 |
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Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.48V
Disipación de Potencia Máxima
310 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,6 nC a 4,5 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
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