Transistor, BC846BMB,315, NPN 100 mA 65 V DFN1006B, SOT-883B, 3 pines, Simple

Código de producto RS: 153-2929Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BC846BMB,315
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Transistor

NPN

Corriente DC Máxima del Colector

100 mA

Tensión Máxima Colector-Emisor

65 V

Tipo de Encapsulado

DFN1006B, SOT-883B

Tipo de montaje

Surface Mount

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Ganancia Mínima de Corriente DC

200

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Tensión Máxima Emisor-Base

65 V

Conteo de Pines

3

Número de Elementos por Chip

1

Dimensiones del Cuerpo

1.05 x 0.65 x 0.36mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

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$ 118

Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)

$ 140,42

Each (In a Pack of 100) (IVA Incluido)

Transistor, BC846BMB,315, NPN 100 mA 65 V DFN1006B, SOT-883B, 3 pines, Simple
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 100.

Producción -

Disponible en múltiplos de 100.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

100

Disponible en múltiplos de 100
100$ 11.800
200$ 23.600
300$ 35.400
400$ 47.200
500$ 47.000
600$ 56.400
700$ 65.800
800$ 75.200
900$ 84.600
1000$ 76.000
1100$ 83.600
1200$ 91.200
1300$ 98.800
1400$ 106.400
1500$ 114.000

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100

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100$ 11.800
200$ 23.600
300$ 35.400
400$ 47.200
500$ 47.000
600$ 56.400
700$ 65.800
800$ 75.200
900$ 84.600
1000$ 76.000
1100$ 83.600
1200$ 91.200
1300$ 98.800
1400$ 106.400
1500$ 114.000

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
100 - 400$ 118$ 11.800
500 - 900$ 94$ 9.400
1000 - 4900$ 76$ 7.600
5000 - 7400$ 60$ 6.000
7500+$ 58$ 5.800

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NPN

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100 mA

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65 V

Tipo de Encapsulado

DFN1006B, SOT-883B

Tipo de montaje

Surface Mount

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Ganancia Mínima de Corriente DC

200

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Tensión Máxima Emisor-Base

65 V

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3

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1

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