Uso dual

Memoria flash, Paralelo JS28F00AM29EWHA 1 Gbyte, 12M x 8 bits, 64M x 16 bits, 110ns, TSOP, 56 pines

Código de producto RS: 777-5168Marca: MicronNúmero de parte de fabricante: JS28F00AM29EWHA
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Micron

Tamaño de la Memoria

1 Gbyte

Tipo de Interfaz

Parallel

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

56

Organización

12M x 8 bits, 64M x 16 bits

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Célula

NI

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Organización de Bloques

Symmetrical

Longitud

18.4mm

Altura

1mm

Ancho

14mm

Dimensiones del Cuerpo

18.4 x 14 x 1mm

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

110ns

Número de Palabras

128M, 64M

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Número de Bits de Palabra

8/16bit

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

País de Origen

China

Datos del producto

Flash Memory, Micron

Flash Memory

FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.

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P.O.A.

Memoria flash, Paralelo JS28F00AM29EWHA 1 Gbyte, 12M x 8 bits, 64M x 16 bits, 110ns, TSOP, 56 pines

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
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1 Gbyte

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Parallel

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56

Organización

12M x 8 bits, 64M x 16 bits

Tipo de montaje

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Tipo de Célula

NI

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.7 V

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Organización de Bloques

Symmetrical

Longitud

18.4mm

Altura

1mm

Ancho

14mm

Dimensiones del Cuerpo

18.4 x 14 x 1mm

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

110ns

Número de Palabras

128M, 64M

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-40 ºC

Número de Bits de Palabra

8/16bit

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+85 °C.

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