Memoria flash, Paralelo SST39SF010A-70-4C-PHE 1MB, 128K x 8 bits, 70ns, PDIP, 32 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MicrochipTamaño de la Memoria
1MB
Tipo de Interfaz
Parallel
Tipo de Encapsulado
DIP
Conteo de Pines
32
Organización
128K x 8 bits
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Célula
Split Gate
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Organización de Bloques
Symmetrical
Longitud
42.04mm
Altura
3.81mm
Ancho
13.97mm
Dimensiones del Cuerpo
42.04 x 13.97 x 3.81mm
Número de Palabras
128K
Temperatura Mínima de Operación
0 ºC
Número de Bits de Palabra
8bit
Temperatura máxima de funcionamiento
+70 °C
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Datos del producto
Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040
Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.
Características
Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns
Tiempo de borrado de sector: 18 ms
Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)
Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)
Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)
Datos y direcciones con bloqueo
Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos
Compatibilidad con E/S TTL
JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM
Flash Memory, Microchip
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P.O.A.
5
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1MB
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Parallel
Tipo de Encapsulado
DIP
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Organización
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Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Célula
Split Gate
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Organización de Bloques
Symmetrical
Longitud
42.04mm
Altura
3.81mm
Ancho
13.97mm
Dimensiones del Cuerpo
42.04 x 13.97 x 3.81mm
Número de Palabras
128K
Temperatura Mínima de Operación
0 ºC
Número de Bits de Palabra
8bit
Temperatura máxima de funcionamiento
+70 °C
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Datos del producto
Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040
Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.
Características
Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V
Duración: 100.000 ciclos (típico)
Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz)
Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes
Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns
Tiempo de borrado de sector: 18 ms
Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico)
Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico)
Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos)
Datos y direcciones con bloqueo
Temporización de escritura automática: generación interna de VPP
Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos
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