Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Altura
10.8mm
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
7.8mm
Ancho
2.7mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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P.O.A.
1
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Renesas ElectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Altura
10.8mm
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
7.8mm
Ancho
2.7mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.