MOSFET MagnaChip MDS1528URH, VDSS 30 V, ID 11,9 A, SOIC de 8 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnaChipTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
11.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
27,8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
4.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
4.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,3 nC a 10 V
Profundidad
3.9mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET (LV) de baja tensión
Estos MOSFET (LV) de baja tensión proporcionan una resistencia en funcionamiento baja y un rendimiento de conmutación bajo.
MOSFET Transistors, MagnaChip
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P.O.A.
25
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N
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Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
27,8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
4.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
4.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,3 nC a 10 V
Profundidad
3.9mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.5mm
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China
Datos del producto
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