Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Tipo de Encapsulado
SOT-227B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
220 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
6.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
890000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
25.07mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
38.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
305 nC a 10 V
Altura
9.6mm
Serie
Polar HiPerFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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P.O.A.
1
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1
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Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Tipo de Encapsulado
SOT-227B
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
220 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
6.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.5V
Disipación de Potencia Máxima
890000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
25.07mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
38.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
305 nC a 10 V
Altura
9.6mm
Serie
Polar HiPerFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS