Transistor MOSFET IXYS IXFB38N100Q2, VDSS 1000 V, ID 38 A, PLUS264 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 711-5336Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFB38N100Q2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

37,9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1000 V

Tipo de Encapsulado

PLUS264

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

890000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

20.29mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

250 nC a 10 V

Profundidad

5.31mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

26.59mm

Serie

HiperFET, Q-Class

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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P.O.A.

Transistor MOSFET IXYS IXFB38N100Q2, VDSS 1000 V, ID 38 A, PLUS264 de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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N

Maximum Continuous Drain Current

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PLUS264

Tipo de montaje

Through Hole

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

890000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

20.29mm

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