IGBT, SGD02N120, N-Canal, 6,2 A, 1.200 V, DPAK (TO-252), 3-Pines Simple

Código de producto RS: 752-8441Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SGD02N120
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

6.2 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

62000 mW

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

6.5 x 6.22 x 2.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

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Corriente Máxima Continua del Colector

6.2 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

62000 mW

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

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6.5 x 6.22 x 2.3mm

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