MOSFET Infineon IRLR3410TRPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
79000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Altura
2.39mm
Serie
HEXFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
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$ 660
Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
$ 785,40
Each (On a Reel of 2000) (IVA Incluido)
2000
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N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
79000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Altura
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