MOSFET Infineon IRF9910TRPBF, VDSS 20 V, ID 12 A, SO-8 de 8 pines, 2elementos

Código de producto RS: 162-3296Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF9910TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18,3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.55V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.65V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

4mm

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 4,5 V

Altura

1.5mm

Serie

IRF9910

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

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$ 1.346

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 1.601,74

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 1.346$ 13.460
100 - 490$ 1.039$ 10.390
500 - 990$ 918$ 9.180
1000 - 1990$ 710$ 7.100
2000+$ 676$ 6.760

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

18,3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.55V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.65V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

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±20 V

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Longitud:

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