Documentos Técnicos
Especificaciones
Número de Elementos por Chip
1
Modo de Canal
Mejora
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Serie
HEXFET
Profundidad
4.69mm
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Longitud
10.54mm
Altura
8.77mm
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Brand
InfineonResistencia Máxima Drenador-Fuente
44 mΩ
Carga Típica de Puerta @ Vgs
71 nC a 10 V
País de Origen
China
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$ 1.268
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 1.508,92
Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
Estándar
20
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Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
20 - 80 | $ 1.268 | $ 25.360 |
100 - 280 | $ 735 | $ 14.700 |
300 - 580 | $ 701 | $ 14.020 |
600+ | $ 655 | $ 13.100 |
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Especificaciones
Número de Elementos por Chip
1
Modo de Canal
Mejora
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+175 °C
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Serie
HEXFET
Profundidad
4.69mm
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Longitud
10.54mm
Altura
8.77mm
Disipación de Potencia Máxima
130000 mW
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Brand
InfineonResistencia Máxima Drenador-Fuente
44 mΩ
Carga Típica de Puerta @ Vgs
71 nC a 10 V
País de Origen
China