MOSFET Infineon IPP093N06N3GXKSA1, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 754-5484Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPP093N06N3GXKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

71000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

36 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.36mm

Profundidad

15.95mm

Material del transistor

Si

Series

OptiMOS 3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.57mm

Datos del producto

MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 2.048

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 2.437,12

Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
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500 - 2495$ 1.078$ 5.390
2500 - 4995$ 926$ 4.630
5000+$ 909$ 4.545

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

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Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

71000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

36 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.36mm

Profundidad

15.95mm

Material del transistor

Si

Series

OptiMOS 3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.57mm

Datos del producto

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Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
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