MOSFET Infineon IPB60R160P6ATMA1, VDSS 650 V, ID 23,8 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código de producto RS: 130-0894Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB60R160P6ATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

23.8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

160 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

176 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.57mm

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

44 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

9.45mm

Serie

CoolMOS P6

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Datos del producto

MOSFET de potencia serie CoolMOS™E6/P6 de Infineon

La gama Infineon de MOSFET serie CoolMOSE6 y P6. Estos dispositivos se puede utilizar en diversas aplicaciones, como la corrección del factor de potencia (PFC), dispositivos de iluminación y consumo, servidores y en los sectores solar y de telecomunicaciones.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 1.877

Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 2.233,63

Each (In a Pack of 2) (IVA Incluido)

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N

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23.8 A

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Tipo de montaje

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

160 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3.5V

Disipación de Potencia Máxima

176 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Profundidad

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Largo

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Altura

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Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

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