Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Número de transistores
1
Disipación de Potencia Máxima
319.2 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
2.38mJ
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Capacitancia de puerta
1950pF
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 3.520
Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 4.188,80
Each (In a Tube of 30) (IVA Incluido)
30
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
30 - 120 | $ 3.520 | $ 105.600 |
150 - 270 | $ 3.052 | $ 91.560 |
300+ | $ 2.897 | $ 86.910 |
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Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Número de transistores
1
Disipación de Potencia Máxima
319.2 W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
30kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Energía nominal
2.38mJ
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Capacitancia de puerta
1950pF
Datos del producto
Transistores IGBT Infineon TrenchStop, 600 y 650 V
Una gama de transistores IGBT de Infineon con valores nominales de tensión de colector-emisor de 600 y 650 V con tecnología TrenchStop™. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.
Rango de tensión de colector-emisor de 600 a 650 V
VCEsat muy baja
Pérdidas de desconexión bajas
Corriente de recuperación de cortocircuito
EMI bajo
Temperatura de conexión máxima de 175 °C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.