Módulo IGBT, FS200R12KT4RBOSA1, N-Canal, 280 A, 1.200 V, EconoPACK 3, 35-Pines Trifásico
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonCorriente Máxima Continua del Colector
280 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
1.000 W
Tipo de Encapsulado
EconoPACK 3
Configuration
3 Phase Bridge
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
35
Transistor Configuration
Trifásico
Dimensiones
122 x 62 x 17mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Datos del producto
Módulo IGBT, Infineon
La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.
Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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Each (Sin IVA)
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280 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
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±20V
Disipación de Potencia Máxima
1.000 W
Tipo de Encapsulado
EconoPACK 3
Configuration
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Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
35
Transistor Configuration
Trifásico
Dimensiones
122 x 62 x 17mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Datos del producto
Módulo IGBT, Infineon
La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz.
Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal N TRENCH-STOP TM y Fieldstop son adecuados para aplicaciones de conmutación, como inversores, SAI y controladores industriales.
Los tipos de encapsulado son: módulos de 62 mm, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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