Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
512K x 8 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
8bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
32
Dimensiones
20.75 x 11.43 x 2.81mm
Altura
2.81mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Profundidad
11.43mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Longitud:
20.75mm
País de Origen
United States
Datos del producto
Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor
Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.
SRAM (Static Random Access Memory)
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
2
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
2
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Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
4Mbit
Organización
512K x 8 bits
Número de Palabras
512K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
8bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Baja Potencia
Yes
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
32
Dimensiones
20.75 x 11.43 x 2.81mm
Altura
2.81mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Profundidad
11.43mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Longitud:
20.75mm
País de Origen
United States
Datos del producto
Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor
Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.