MOSFET Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Name: MOSFET Infineon BSC12DN20NS3GATMA1, VDSS 200 V, ID 11,3 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple
Brand: Infineon
SKU: 1702290
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 170-2290Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC12DN20NS3GATMA1

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

11.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

6.35mm

Número de Elementos por Chip

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,5 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5.35mm

Altura

1.1mm

Serie

BSC12DN20NS3 G

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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$ 863

Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)

$ 1.026,97

Each (On a Reel of 5000) (IVA Incluido)

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5000

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Infineon

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

11.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-160 V

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

125 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

50 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Ancho

6.35mm

Número de Elementos por Chip

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,5 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

5.35mm

Altura

1.1mm

Serie

BSC12DN20NS3 G

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V