Diodo, BAS3010S02LRHE6327XTSA1, 1A, 30V Schottky, TSLP, 2-Pines 650mV
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSLP
Corriente Continua Máxima Directa
1A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
30V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
650mV
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
4A
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Diodos de barrera Schottky, Infineon
Diodes and Rectifiers, Infineon
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P.O.A.
50
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50
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Brand
InfineonTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
TSLP
Corriente Continua Máxima Directa
1A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
30V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Schottky
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
650mV
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
4A
País de Origen
Malaysia
Datos del producto