Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonConfiguración de diodo
Isolated
Corriente Máxima Directa
200mA
Número de Elementos por Chip
3
Tipo de montaje
Surface Mount
Tensión Inversa Máxima
80V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
6
Caída de tensión directa máxima
1.25V
Capacitancia Máxima del Diodo
2pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2mm
Ancho
1.25mm
Altura
0.8mm
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.8mm
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Infineon
Diodos de conmutación de señal pequeña de alta velocidad de Infineon con corrientes nominales de hasta 1 A y tensión inversa nominal de hasta 400 V. Muchos de estos dispositivos están disponibles en configuraciones dobles, triples y cuádruples.
Diodes and Rectifiers, Infineon
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P.O.A.
50
P.O.A.
50
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Brand
InfineonConfiguración de diodo
Isolated
Corriente Máxima Directa
200mA
Número de Elementos por Chip
3
Tipo de montaje
Surface Mount
Tensión Inversa Máxima
80V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
6
Caída de tensión directa máxima
1.25V
Capacitancia Máxima del Diodo
2pF
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2mm
Ancho
1.25mm
Altura
0.8mm
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.25 x 0.8mm
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Infineon
Diodos de conmutación de señal pequeña de alta velocidad de Infineon con corrientes nominales de hasta 1 A y tensión inversa nominal de hasta 400 V. Muchos de estos dispositivos están disponibles en configuraciones dobles, triples y cuádruples.