MOSFET Infineon AUIRFB8409, VDSS 40 V, ID 195 A, 409 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
195 A, 409 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
3.43mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
300 nC a 10 V
Altura
9.02mm
Serie
COOLiRFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia COOLiRFET™, Infineon
Los MOSFET de potencia COOLiRFET™ cualificados para automoción de Infineon, logran una resistencia en funcionamiento (RDS(on)) muy baja, una pérdida de conducción muy baja, por lo que ofrecen velocidades de conmutación de señales de corriente alta muy eficaces. Proporcionan una mayor eficacia, densidad de potencia y fiabilidad en entornos con señales hostiles con un sólido rendimiento de avalanchas, pérdida de conducción baja, velocidades de conmutación rápidas y temperatura de conexión máxima 175 °C.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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P.O.A.
50
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N
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195 A, 409 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
3.43mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
300 nC a 10 V
Altura
9.02mm
Serie
COOLiRFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia COOLiRFET™, Infineon
Los MOSFET de potencia COOLiRFET™ cualificados para automoción de Infineon, logran una resistencia en funcionamiento (RDS(on)) muy baja, una pérdida de conducción muy baja, por lo que ofrecen velocidades de conmutación de señales de corriente alta muy eficaces. Proporcionan una mayor eficacia, densidad de potencia y fiabilidad en entornos con señales hostiles con un sólido rendimiento de avalanchas, pérdida de conducción baja, velocidades de conmutación rápidas y temperatura de conexión máxima 175 °C.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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