Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
U-DFN2020
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
56 nC a 10 V
Longitud
2.05mm
Serie
DMN2011UFDF
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.58mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de canal N, 12 a 28 V, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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$ 449
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 534,31
Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
20
$ 449
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
$ 534,31
Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)
20
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Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
14.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
U-DFN2020
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
56 nC a 10 V
Longitud
2.05mm
Serie
DMN2011UFDF
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
0.58mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto