Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 1Mbit, 128k x 8 bits, 100MHZ, SOJ-32, VCC máx. 5,5 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
128K x 8 bits
Número de Palabras
128K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
10ns
Frecuencia de Reloj
100MHz
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOJ
Conteo de Pines
32
Dimensiones del Cuerpo
0.83 x 0.305 x 0.11plg
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
2.79mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
21.08mm
Ancho
7.75mm
País de Origen
United States
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P.O.A.
23
P.O.A.
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Especificaciones
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Organización
128K x 8 bits
Número de Palabras
128K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
10ns
Frecuencia de Reloj
100MHz
Tipo de Temporizador
Asynchronous
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOJ
Conteo de Pines
32
Dimensiones del Cuerpo
0.83 x 0.305 x 0.11plg
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
5.5 V
Altura
2.79mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40 ºC
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
4.5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
21.08mm
Ancho
7.75mm
País de Origen
United States