Memoria SRAM Infineon, 4Mbit, 256k x 16 bits, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V

Name: Memoria SRAM Infineon, 4Mbit, 256k x 16 bits, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V
Brand: Cypress Semiconductor
SKU: 1242939

Código de producto RS: 124-2939Marca: Cypress SemiconductorNúmero de parte de fabricante: CY62146EV30LL-45ZSXI

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Cypress Semiconductor

Tamaño de la Memoria

4Mbit

Organización

256K x 16 bits

Número de Palabras

256K

Número de Bits de Palabra

16bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Ancho del Bus de Direcciones

16bit

Frecuencia de Reloj

1MHz

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

Dimensiones

18.51 x 10.26 x 1.04mm

Altura

1.04mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Profundidad

10.26mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.2 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+85 °C.

Longitud

18.51mm

Datos del producto

Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor

Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.

SRAM (Static Random Access Memory)

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Memoria SRAM Infineon, 4Mbit, 256k x 16 bits, 1MHZ, TSOP-44, VCC máx. 3,6 V

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256K x 16 bits

Número de Palabras

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Número de Bits de Palabra

16bit

Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo

45ns

Ancho del Bus de Direcciones

16bit

Frecuencia de Reloj

1MHz

Baja Potencia

Yes

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

TSOP

Conteo de Pines

Dimensiones

18.51 x 10.26 x 1.04mm

Altura

1.04mm

Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento

3.6 V

Profundidad

10.26mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40 ºC

Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima

2.2 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+85 °C.

Longitud

18.51mm

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