Fotodiodo de silicio ams OSRAM, IR, λ sensibilidad máx. 900nm, mont. pasante, encapsulado T-1 de 2 pines

Código de producto RS: 654-8053Marca: ams OSRAMNúmero de parte de fabricante: SFH 229 FA
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Espectros Detectados

Infrarrojo

Spectrum(s) Detected

Infrared

Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico

900nm

Encapsulado

T-1

Tipo de montaje

Through Hole

Función de amplificador

No

Number of Pins

1

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

730nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Tiempo de Bajada Típico

10ns

Longitud

4mm

Profundidad

3mm

Altura

5.2mm

Fotosensibilidad de Pico

0.6A/W

Diámetro

3.1mm

Typical Rise Time

10ns

Datos del producto

Fotodiodo PIN - Encapsulado T-1 (3 mm)

Esta familia de fotodiodos PIN, de OSRAM Opto Semiconductors, se suministra en encapsulados de orificio pasante T-1 (3 mm) estándar. Tienen un área sensible a la radiación de 0,56 x 0,56 mm². Los fotodiodos de encapsulado T-1 ofrecen un tiempo de conmutación muy corto. Las aplicaciones adecuadas incluyen fotointerruptores, electrónica industrial y circuitos de control y accionamiento.

IR Photodiodes, OSRAM Opto Semiconductors

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$ 627

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 746,13

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
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50 - 190$ 470$ 4.700
200 - 490$ 450$ 4.500
500 - 990$ 260$ 2.600
1000+$ 254$ 2.540

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Tipo de montaje

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Función de amplificador

No

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1

Material del Diodo

Si

Mínima Longitud de Onda Detectada

730nm

Máxima Longitud de Onda Detectada

1100nm

Tiempo de Bajada Típico

10ns

Longitud

4mm

Profundidad

3mm

Altura

5.2mm

Fotosensibilidad de Pico

0.6A/W

Diámetro

3.1mm

Typical Rise Time

10ns

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Fotodiodo PIN - Encapsulado T-1 (3 mm)

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