Fototransistor NPN ams OSRAM sensible a IR, rango onda λ 450 → 1100 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, TO-18
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ams OSRAMEspectros Detectados
Infrarrojo
Tiempo de Bajada Típico
15µs
Typical Rise Time
15µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
9500µA
Corriente de Oscuridad Máxima
20 (≤ 100)nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±15 °
Polarity
NPN
Number of Pins
3
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
4.8 (Dia.) x 6.2mm
Corriente del Colector
50mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Diámetro
4.8mm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1100 nm
Altura
6.2mm
Tensión de saturación
240mV
País de Origen
China
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado TO18
Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
1000
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15µs
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15µs
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1
Maximum Light Current
9500µA
Corriente de Oscuridad Máxima
20 (≤ 100)nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±15 °
Polarity
NPN
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3
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
TO-18
Dimensiones del Cuerpo
4.8 (Dia.) x 6.2mm
Corriente del Colector
50mA
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Diámetro
4.8mm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1100 nm
Altura
6.2mm
Tensión de saturación
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