Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Tipo P
Corriente continua máxima de drenaje ld
3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
160mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
2.6W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6.4nC
Tensión directa Vf
-1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
1.8mm
Longitud
6.7mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Tipo P
Corriente continua máxima de drenaje ld
3A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
160mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
2.6W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
6.4nC
Tensión directa Vf
-1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
1.8mm
Longitud
6.7mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.