Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tipo de producto
Diodo TVS
Tensión mínima de ruptura Vbr
200V
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de Pack
R-6
Tensión de corte inversa máxima Vwm
180V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
5kW
Tensión de sujeción VC
410V
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
146A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Número de elementos por chip
1
Diámetro
9.1mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Ancho
9.1mm
Serie
BZW50
Altura
9.1mm
Longitud:
9.1mm
Estándar de automoción
No
Corriente de fugas inversa máxima
5μA
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
2
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Cinta)
2
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tipo de producto
Diodo TVS
Tensión mínima de ruptura Vbr
200V
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de Pack
R-6
Tensión de corte inversa máxima Vwm
180V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
5kW
Tensión de sujeción VC
410V
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
146A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Número de elementos por chip
1
Diámetro
9.1mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Ancho
9.1mm
Serie
BZW50
Altura
9.1mm
Longitud:
9.1mm
Estándar de automoción
No
Corriente de fugas inversa máxima
5μA
Datos del producto