Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
180A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Encapsulado
H2PAK-2
Serie
STH200
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
4mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
93nC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
340W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de zanja mejorada que aumenta la capacidad de resistencia al modo lineal y proporciona un SOA más amplio combinado con una resistencia de encendido muy baja. El MOSFET resultante garantiza el mejor equilibrio entre el modo lineal y las operaciones de conmutación.
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Volver a intentar más tarde
$ 5.038.000
$ 5.038 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 5.995.220
$ 5.995,22 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
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93nC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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No
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No
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