Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemtechConfiguración de diodo
Isolated
Tipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
300W
Tensión de sujeción VC
11V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
7.1A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Altura
1.5mm
Longitud:
5mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
4mm
Serie
LCDA05
Corriente de fugas inversa máxima
20μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
1
P.O.A.
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemtechConfiguración de diodo
Isolated
Tipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
6V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
300W
Tensión de sujeción VC
11V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
7.1A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125°C
Altura
1.5mm
Longitud:
5mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
4mm
Serie
LCDA05
Corriente de fugas inversa máxima
20μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto