Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
68A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Serie
ST
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.036Ω
Modo de canal
Depletion
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
125nC
Disipación de potencia máxima Pd
450W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
41.2mm
Certificaciones y estándares
No
Largo
15.9mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado.
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$ 386.970
$ 12.899 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 460.494
$ 15.349,81 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 90 | $ 12.899 | $ 386.970 |
| 120 - 240 | $ 11.762 | $ 352.860 |
| 270 - 570 | $ 11.453 | $ 343.590 |
| 600 - 1170 | $ 11.159 | $ 334.770 |
| 1200+ | $ 10.880 | $ 326.400 |
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MOSFET
Tipo de canal
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Serie
ST
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.036Ω
Modo de canal
Depletion
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
125nC
Disipación de potencia máxima Pd
450W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión directa Vf
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
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Certificaciones y estándares
No
Largo
15.9mm
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No
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STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado.
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