Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemtechConfiguración de diodo
Isolated
Tipo de Producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
16.7V
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
15V
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
300W
Tensión de sujeción VC
30V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
10A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125°C
Altura
1.5mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4mm
Serie
SMDAxxC
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
SemtechConfiguración de diodo
Isolated
Tipo de Producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
16.7V
Tipo de Montaje
Superficie
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
15V
Número de pines
8
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
300W
Tensión de sujeción VC
30V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
10A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
4
Temperatura Máxima de Funcionamiento
125°C
Altura
1.5mm
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
4mm
Serie
SMDAxxC
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1μA
Estándar de automoción
No
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