Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
13A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Tipo de Encapsulado
TO-263
Serie
STB
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
280mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
16.8nC
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
10.4mm
Altura
4.37mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
La nueva tecnología M6 de MDmesh incorpora los avances más recientes a la conocida y consolidada familia de MOSFETs de SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles, así como una experiencia fácil de usar para obtener la máxima eficiencia de las aplicaciones finales.
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¡Sin cuotas escondidas!
Volver a intentar más tarde
$ 1.670.000
$ 1.670 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 1.987.300
$ 1.987,30 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
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Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
16.8nC
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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DIN EN ISO 6789-2:2017
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No
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