Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
Módulo de potencia SiC
Corriente continua máxima de drenaje ld
16A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Serie
SCT
Encapsulado
Hip-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.52Ω
Modo de canal
Depletion
Tensión directa Vf
3.6V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
45nC
Disipación de potencia máxima Pd
153W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Longitud
10.4mm
Altura
15.8mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.
Volver a intentar más tarde
$ 440.276
$ 440.276 1 Tube of 30 (Sin IVA)
$ 523.928
$ 523.928 1 Tube of 30 (IVA Inc.)
1
$ 440.276
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$ 523.928
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
Módulo de potencia SiC
Corriente continua máxima de drenaje ld
16A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1200V
Serie
SCT
Encapsulado
Hip-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.52Ω
Modo de canal
Depletion
Tensión directa Vf
3.6V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
45nC
Disipación de potencia máxima Pd
153W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Longitud
10.4mm
Altura
15.8mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción tiene una variación muy ajustada de resistencia de conexión temperatura. Tiene una capacidad de temperatura de funcionamiento muy alta.