Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
9A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
200V
Encapsulado
TO-220
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
400mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
75W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
31nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.6mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
9A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
200V
Encapsulado
TO-220
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
400mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
75W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
31nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.6mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto