Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8S
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,0072 Ω, 0,0095 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Número de Elementos por Chip
1
Series
TrenchFET® Gen IV
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P.O.A.
MOSFET Vishay SiSS32LDN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 63 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines
3000
P.O.A.
MOSFET Vishay SiSS32LDN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 63 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines
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3000
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Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8S
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,0072 Ω, 0,0095 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Número de Elementos por Chip
1
Series
TrenchFET® Gen IV