MOSFET Vishay SIR626DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 100 A, SO de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 134-9720Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIR626DP-T1-RE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Número de Elementos por Chip

1

Modo de Canal

Mejora

Tipo de Canal

N

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Conteo de Pines

8

Transistor Configuration

Single

Tensión de diodo directa

1.1V

Tipo de montaje

Montaje superficial

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tensión de umbral de puerta máxima

3.4V

Altura

1.12mm

Serie

TrenchFET

Longitud:

6.25mm

Profundidad

5.26mm

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,6 mΩ

Tipo de Encapsulado

SOIC

Brand

Vishay

Carga Típica de Puerta @ Vgs

68 nC a 10 V

Datos del producto

Accesorios para casquillo de botón pulsador de Carling Technologies®

Una gama de opciones de hardware y accesorios que se adaptan a los interruptores de botón pulsador de Carling Technologies®.

Carling Technologies® Pushbutton Switches

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Mejora

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N

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±20 V

Conteo de Pines

8

Transistor Configuration

Single

Tensión de diodo directa

1.1V

Tipo de montaje

Montaje superficial

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tensión de umbral de puerta máxima

3.4V

Altura

1.12mm

Serie

TrenchFET

Longitud:

6.25mm

Profundidad

5.26mm

Disipación de Potencia Máxima

104 W

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,6 mΩ

Tipo de Encapsulado

SOIC

Brand

Vishay

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