MOSFET Vishay SIHP065N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 134-9170Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SIHP065N60E-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Serie

E Series

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.51mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

49 nC a 10 V

Profundidad

4.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

15.49mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 6.529

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 7.769,51

Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SIHP065N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 326.450
100$ 620.200
150$ 930.300
200$ 1.240.400
250$ 1.550.500
300$ 1.860.600
350$ 2.170.700
400$ 2.480.800
450$ 2.790.900
500$ 3.101.000
550$ 3.411.100
600$ 3.721.200
650$ 4.031.300
700$ 4.341.400
750$ 4.651.500

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450$ 2.790.900
500$ 3.101.000
550$ 3.411.100
600$ 3.721.200
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N

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Serie

E Series

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.51mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

49 nC a 10 V

Profundidad

4.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

15.49mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor

Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características

Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
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