MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 787-9008Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4948BEY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

3.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOIC W

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.4 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,5 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.5mm

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 1.633

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 1.943,27

Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)

MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 8.165
10$ 16.330
15$ 24.495
20$ 32.660
25$ 40.825
30$ 48.990
35$ 57.155
40$ 65.320
45$ 73.485
50$ 70.250
55$ 77.275
60$ 84.300
65$ 91.325
70$ 98.350
75$ 105.375

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5

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30$ 48.990
35$ 57.155
40$ 65.320
45$ 73.485
50$ 70.250
55$ 77.275
60$ 84.300
65$ 91.325
70$ 98.350
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 45$ 1.633$ 8.165
50 - 245$ 1.405$ 7.025
250 - 495$ 1.143$ 5.715
500 - 1245$ 950$ 4.750
1250+$ 868$ 4.340

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P

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Tipo de montaje

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Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

150 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.4 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,5 nC a 10 V

Ancho

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Si

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