Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3+Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.7mm
Profundidad
3.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.45mm
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3+Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.7mm
Profundidad
3.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.45mm