Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Profundidad
6.29mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
3.37mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
540 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,3 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
5mm
Profundidad
6.29mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
3.37mm
Datos del producto